[发明专利]一种低温度系数平面二极管芯片结构及其生产工艺在审
申请号: | 202010617317.5 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111900211A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 袁正刚;王光磊;陈侃;梁江华;付航军 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329;H01L23/34 |
代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 汪劲松 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明提供的一种低温度系数平面二极管芯片结构及其生产工艺;包括P单晶片,所述P单晶片上分别加工有一个PN结和一个NP结,PN结和NP结表面均加工有铝层,所述PN结和NP结反向连接。本发明通过采用较低掺杂浓度的P单晶片制作两个不同的PN结反向连接,进行温度补偿,同时由于P单晶片的掺杂浓度较低,可以引入较高幅值的体电阻来辅助补偿温度引起的VZ的变化,使得产品的温度系数对档率得到提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 温度 系数 平面二极管 芯片 结构 及其 生产工艺 | ||
【主权项】:
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