[发明专利]金属铁离子掺杂MoS2

摘要

本发明公开了一种金属铁离子掺杂MoS2的钠离子电池负极材料及其制备方法，属于电化学和新能源材料领域。通过有机溶剂DMF高温水热的方法合成出的铁离子掺杂的MoS2，具有金属相的导电性和较大的二维层间距。铁离子的微量掺杂，形成了异质掺杂金属相1T‑FeMoS复合材料，该1T金属相材料比传统的2H半导体相具有更优良的导电性能。且硫脲再分解过程中产生的NH4+在一定程度上扩大了该二维材料的层间距更利于钠离子的活性脱嵌反应。本发明是通过硫酸亚铁、钼酸铵和硫脲在DMF和去离子水混合液中通过一步水热法制得铁离子掺杂MoS2的复合材料。传统MoS2理论比容量较高，但较小的层间距以及结构的不稳定性导致材料的比容量降低，通过铁离子的掺杂，显著改善了材料的倍率性能和循环稳定性。