[发明专利]一种大功率半导体发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010607046.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111509097B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 徐晓丽;孙雷蒙;杨丹 | 申请（专利权）人： | 华引芯（武汉）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率半导体发光器件及其制备方法，属于半导体光电子领域。依次包括外延层、导电功能层、设有开孔的第一绝缘层、金属层、P电极、N电极以及第二绝缘层；金属层包括相互绝缘分离的内环与外环，P电极位于金属层的内环上，并通过导电功能层与外延层内的P型半导体层导通；外延层内开设有N型导电开孔，N电极位于金属层的外环上，金属层的外环进入到N型导电开孔中与N型半导体层导通。各膜层位于P、N电极正下方的区域均厚度均匀且平整，将金属层设计为内环与外环，既保证了P、N电极底部的膜层一致，使得电流的传导更加充分、均匀，还避免了P电极与N电极的高度差，实现焊接平整度需求高的车规级产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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