[发明专利]芯片封装方法及芯片封装结构有效
申请号: | 202010600939.7 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111524924B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 庞宏林;钟磊;李利 | 申请(专利权)人: | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 唐正瑜 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种芯片封装方法及芯片封装结构,涉及芯片封装技术领域。其中,芯片封装方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括多个晶片区域,每一所述晶片区域包括感光区域以及焊盘区域,所述焊盘区域设置有焊盘;在所述晶圆的上表面设置一透光膜层;将所述透光膜层的位于每一所述焊盘区域上的部分去除以露出每一所述焊盘区域的焊盘,从而得到一晶圆结构;对所述晶圆结构进行切割及封装操作,以得到多个芯片封装结构。本申请提供的芯片封装方法,相对于其他方式的封装方法,加工流程短,工艺控制难度低,得到的封装体厚度更薄,使用材料更少。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的