[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010598190.7 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113851376A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成一个或多个堆叠的图形传递叠层，包括堆叠的刻蚀停止层和核心材料层；对每个图形传递叠层进行图形化处理，包括：图形化核心材料层形成核心层，相邻核心层围成沟槽；形成保形覆盖的侧墙材料层，与刻蚀停止层材料相同；执行侧墙材料层的主刻蚀工艺，形成掩膜侧墙；在核心层和掩膜侧墙顶部以及沟槽中形成保护层；去除高于核心层顶面的保护层并执行侧墙材料层的过刻蚀工艺，露出核心层顶部；去除核心层和剩余保护层；掩膜侧墙用于在下次图形化处理中作为图形化核心材料层的掩膜或者作为图形化基底的掩膜；以掩膜侧墙为掩膜图形化基底形成目标图形。本发明提高图形传递精度且降低工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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