[发明专利]CMOS光电二极管及集成外围电路的CMOS光电二极管的制造方法在审
| 申请号： | 202010596347.2 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113851494A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 马凤麟;金兴成;于绍欣;李玉岱;廉红伟;王曙重;贝帮坤 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种CMOS光电二极管及集成外围电路的CMOS光电二极管的制造方法，所述CMOS光电二极管包括：衬底，具有第二导电类型；第一阱区，具有第一导电类型，设于所述衬底内；第二阱区，具有第二导电类型，设于所述第一阱区内；红外窗口，形成于所述第二阱区的上表面；第一阱区接触区，具有第一导电类型，设于所述第一阱区上表面处，且掺杂浓度大于所述第一阱区的掺杂浓度；第二阱区接触区，具有第二导电类型，设于所述第二阱区上表面处，且掺杂浓度大于所述第二阱区的掺杂浓度；氧化绝缘结构，包括设于所述第一阱区与第二阱区的交界处、所述第一阱区接触区与第二阱区接触区之间的第一结构。本发明可以增大红外窗口区的宽度，提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 光电二极管 集成 外围 电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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