[发明专利]CMOS光电二极管及集成外围电路的CMOS光电二极管的制造方法

权利要求书

1.一种CMOS光电二极管，其特征在于，包括：

衬底，具有第二导电类型；

第一阱区，具有第一导电类型，设于所述衬底内；

第二阱区，具有第二导电类型，设于所述第一阱区内；

红外窗口，形成于所述第二阱区的上表面；

第一阱区接触区，具有第一导电类型，设于所述第一阱区上表面处，且掺杂浓度大于所述第一阱区的掺杂浓度；

第二阱区接触区，具有第二导电类型，设于所述第二阱区上表面处，且掺杂浓度大于所述第二阱区的掺杂浓度；

氧化绝缘结构，包括设于所述第一阱区与第二阱区的交界处、所述第一阱区接触区与第二阱区接触区之间的第一结构；

其中，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

2.根据权利要求1所述的CMOS光电二极管，其特征在于，所述氧化绝缘结构还包括设于所述第一阱区上表面与衬底上表面的交界处的第二结构。

3.根据权利要求1或2所述的CMOS光电二极管，其特征在于，所述氧化绝缘结构是浅沟槽隔离结构。

4.根据权利要求2所述的CMOS光电二极管，其特征在于，还包括具有第二导电类型的衬底接触区，所述衬底接触区设于所述衬底的上表面处，所述第二结构位于所述衬底接触区与第一阱区接触区之间，所述衬底接触区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度和所述第二阱区的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的CMOS光电二极管，其特征在于，所述第一阱区的宽度为23微米，所述第二阱区的宽度为17.8微米，所述红外窗口的宽度为14微米。

6.根据权利要求1所述的CMOS光电二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

7.一种集成外围电路的CMOS光电二极管的制造方法，包括：

使用有源区光刻版形成光电二极管有源区、外围逻辑电路有源区、光电二极管氧化绝缘结构及外围逻辑电路隔离区；

使用第一深阱光刻版形成第一阱区和外围逻辑电路第一导电类型隔离区；所述第一阱区具有第一导电类型，且形成于所述光电二极管有源区内；

使用第二深阱光刻版形成第二阱区；所述第二阱区具有第二导电类型，且形成于所述第一阱区内，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；

使用第一导电类型重掺杂光刻版形成第一阱区接触区和外围逻辑电路第一导电类型重掺杂区；所述第一阱区接触区具有第一导电类型，设于所述第一阱区上表面处，且掺杂浓度大于所述第一阱区的掺杂浓度；

使用第二导电类型重掺杂光刻版形成第二阱区接触区和外围逻辑电路第二导电类型重掺杂区；所述第二阱区接触区具有第二导电类型，设于所述第二阱区上表面处，且掺杂浓度大于所述第二阱区的掺杂浓度，所述光电二极管氧化绝缘结构包括形成于所述第一阱区与第二阱区的交界处、所述第一阱区接触区与第二阱区接触区之间的第一结构；

使用红外窗口光刻版形成红外窗口；所述红外窗口形成于所述第二阱区的上表面。

8.根据权利要求7所述的集成外围电路的CMOS光电二极管的制造方法，其特征在于，所述使用第一导电类型重掺杂光刻版形成第一阱区接触区和外围逻辑电路第一导电类型重掺杂区的步骤和使用第一导电类型重掺杂光刻版形成第一阱区接触区和外围逻辑电路第一导电类型重掺杂区的步骤之后，所述使用红外窗口光刻版形成红外窗口的步骤之前，还包括：

使用接触孔光刻版形成接触孔；

使用第一金属层光刻版形成第一金属层；

使用顶层通孔光刻版形成通孔；

使用顶层金属光刻版形成顶层金属；

使用焊垫光刻版形成焊垫。