[发明专利]一种IGBT器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010594014.6 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111755508A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;程庆彪;潘克学 | 申请（专利权）人： | 程庆彪 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 汪丹琪 |
| 地址： | 100089*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种IGBT器件结构及其制造方法，属于半导体技术领域。结构包括具有第一导电类型的衬底，第二导电类型体区，三个沟槽，第一导电类型源区，第二导电类型区域，发射极金属层；第一、第三沟槽对称设于第二沟槽的两侧，且沟槽设于第二导电类型体区内；第一、第三沟槽内设有控制栅多晶硅，第二沟槽内设有屏蔽栅多晶硅；多晶硅与沟槽之间设有沟槽绝缘层；沟槽两侧均设有第一导电类型源区；第二导电类型体区与第一导电类型源区构成导电沟道；第二导电类型区域与第一导电类型源区接触；发射极金属层分别与第二导电类型区域、第一导电类型源区、屏蔽栅多晶硅欧姆连接；控制栅多晶硅与发射极金属层绝缘隔离。本发明有效降低栅极电容，降低器件的动态关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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