[发明专利]发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 202010582981.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111490137B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;吴志浩;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、电子提供层、晶格调整层、有源层和空穴提供层，所述有源层包括交替层叠的量子阱和量子垒，所述量子阱、所述量子垒和所述缓冲层均为未掺杂的InGaN层，且所述量子阱中In组分的含量为50％~60％，所述电子提供层为N型掺杂的InGaN层，所述空穴提供层为P型掺杂的InGaN层，所述晶格调整层为掺杂Sr的InGaN层。本公开可以直接在蓝宝石衬底上形成红光LED外延片，避免由于胶体熔化而污染到外延片，提高LED器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 显示 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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