[发明专利]发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底（10）以及依次层叠在所述蓝宝石衬底（10）上的缓冲层（21）、电子提供层（22）、晶格调整层（23）、有源层（24）和空穴提供层（25），所述有源层（24）包括交替层叠的量子阱（241）和量子垒（242），所述量子阱（241）、所述量子垒（242）和所述缓冲层（21）均为未掺杂的InGaN层，且所述量子阱（241）中In组分的含量为50％~60％，所述电子提供层（22）为N型掺杂的InGaN层，所述空穴提供层（25）为P型掺杂的InGaN层，所述晶格调整层（23）为掺杂Sr的InGaN层，所述掺杂Sr的InGaN层的两个相反表面分别与所述电子提供层（22）和所述有源层（24）直接接触，所述晶格调整层（23）的厚度为900埃~1100埃；所述晶格调整层（23）、所述电子提供层（22）、所述缓冲层（21）中In组分的含量均为15％~25％，所述量子垒（242）中In组分的含量为30％~40％，所述空穴提供层（25）中In组分的含量为10％~20％；

所述发光二极管外延片还包括层叠在所述蓝宝石衬底（10）和所述缓冲层（21）之间的应力释放层（26），所述应力释放层（26）包括依次层叠的第一GaN层（261）、第一InGaN层（262）、第二GaN层（263）和第二InGaN层（264）；所述第一GaN层（261）的生长温度低于所述第二GaN层（263）的生长温度，所述第一InGaN层（262）和所述第二InGaN层（264）中In组分的含量沿所述应力释放层（26）的层叠方向逐渐增大，且所述第一InGaN层（262）中In组分的平均含量小于所述第二InGaN层（264）中In组分的平均含量。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述晶格调整层（23）中Sr的掺杂浓度小于10¹⁷/cm³。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一InGaN层（262）中In组分的含量沿所述应力释放层（26）的层叠方向从0逐渐增大至10％，所述第二InGaN层（264）中In组分的含量沿所述应力释放层（26）的层叠方向从10％逐渐增大至20％。

4.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供蓝宝石衬底；

在所述蓝宝石衬底上依次生长应力释放层、缓冲层、电子提供层、晶格调整层、有源层和空穴提供层；

其中，所述有源层包括交替层叠的量子阱和量子垒，所述量子阱、所述量子垒和所述缓冲层均为未掺杂的InGaN层，且所述量子阱中In组分的含量为50％~60％，所述电子提供层为N型掺杂的InGaN层，所述空穴提供层为P型掺杂的InGaN层，所述晶格调整层为掺杂Sr的InGaN层，所述掺杂Sr的InGaN层的两个相反表面分别与所述电子提供层和所述有源层直接接触，所述晶格调整层的厚度为900埃~1100埃；所述晶格调整层、所述电子提供层、所述缓冲层中In组分的含量均为15％~25％，所述量子垒中In组分的含量为30％~40％，所述空穴提供层中In组分的含量为10％~20％；

所述应力释放层包括依次层叠的第一GaN层、第一InGaN层、第二GaN层和第二InGaN层；所述第一GaN层的生长温度低于所述第二GaN层的生长温度，所述第一InGaN层和所述第二InGaN层中In组分的含量沿所述应力释放层的层叠方向逐渐增大，且所述第一InGaN层中In组分的平均含量小于所述第二InGaN层中In组分的平均含量。