[发明专利]一种钙钛矿微纳结构及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010578601.6 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN111900627B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 张青;尚秋宇;李美丽 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01S5/36 分类号: H01S5/36;H01S5/024;H01S5/02;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;张红生
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种钙钛矿微纳结构及其制备方法和应用,所述微纳结构包括发光材料层和导热衬底层,导热衬底层之上为发光材料层;所述发光材料层为3D钙钛矿APbBr3纳米带,其中APbBr3为CH3NH3PbBr3(MAPbBr3)、HC(NH2)2PbBr3(FAPbBr3)和CsPbBr3中的一种。利用本发明结构可有效地转移体系在光泵浦下产生的局域热量,避免了热局域造成的样品损坏,提高了体系的热稳定性,进而获得低阈值受激辐射。本发明提供的微纳结构能够实现78K(110K)下,阈值为2(3.7)kW/cm2的连续激光泵浦下的受激辐射,且体系的制备方法简单。
搜索关键词: 一种 钙钛矿微纳 结构 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010578601.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种基于光子晶体微腔结构的钙钛矿量子点激光器及其制备方法-202310621344.3
  • 曹暾;苏莹;王榕梓;杨瑾瑜;齐成祥;范鸿吉;廉盟;贾婧媛 - 大连理工大学
  • 2023-05-30 - 2023-08-25 - H01S5/36
  • 本发明提供了一种基于光子晶体微腔结构的钙钛矿量子点激光器及其制备方法,涉及光子晶体和量子点激光器领域,其结构从下至上包括:硅基底I、二氧化硅氧化层Ⅱ、光子晶体微腔层III、在光子晶体微腔层III顶部且渗透光子晶体微腔层III的空气孔阵列形成的混合有钙钛矿量子点的聚合物层IV。其中,所述激光器的增益介质为有机‑无机杂化钙钛矿量子点,所述激光器的谐振腔为具有线性三孔缺陷的二维三角晶格光子晶体微腔。本发明将光子晶体微腔和钙钛矿量子点二者有机结合,通过优化设计缺陷附近孔的大小位置以及构造垂直方向折射率对称的结构,在横向和纵向上实现对光子的局域限制,实现一种具有高Q值、小模式体积、低阈值的激光器。
  • 胶体量子点光发射器和检测器-202180031834.7
  • L·埃尔辛格;Z·汉斯;D·范托尔豪特 - 根特大学;IMEC 非营利协会
  • 2021-04-30 - 2022-12-16 - H01S5/36
  • 一种集成光电器件(100,200,300)包括基板(30),该基板支撑无源波导(31),该无源波导用于在两个横向方向上限制折射率,并沿纵向方向引导至少一个光学模式。该器件还包括用于传输第一导电类型的载流子的第一电荷传输层(11)、用于传输与第一导电类型相反的第二导电类型的载流子的第二电荷传输层(12)、以及包括可溶液加工的半导体纳米晶体的颗粒膜的有源层(20)。该有源层相对于所述电荷传输层来被布置以形成二极管结。有源层以及第一和第二电荷传输层被进一步形成在基板上,使得它们各自在垂直于纵向方向的截面中与波导的至少一部分交叠。有源层被倏逝地耦合到波导。
  • 有机半导体激光器-202210982939.7
  • 李雨晗;赵耕墨;罗鸿宇;陈思豫 - 电子科技大学
  • 2022-08-16 - 2022-11-22 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种有机半导体激光器。为解决有机半导体激光器Q值低、激光阈值高的技术问题,本发明公开的有机半导体激光器包括无机LED层,隔离层以及有机层,该有机半导体激光器还包括分形层,该分形层位于有机层和隔离层之间;其中所述分形层具有经过2次或3次迭代后的分形结构。本发明以分形层为技术手段,解决了有机半导体激光器Q值低、激光阈值高等的技术问题,有效地提高了有机半导体激光器的光电特性,可以低成本实现半导体激光器。本发明适于激光器领域。
  • 一种无外腔低阈值钙钛矿激光器件及应用-202210786811.3
  • 狄大卫;曹许慧;幸世宇;连亚霄 - 浙江大学
  • 2022-07-04 - 2022-10-14 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种无外腔低阈值钙钛矿激光器件及应用,其中增益介质为钙钛矿材料或钙钛矿材料与其他材料的组合。其中钙钛矿成分为A’2An‑1BnX3n+1或ABX3,其中A’为有机胺阳离子,A为一价阳离子,B为金属阳离子,X为阴离子;其增益介质的制备方法在于,将A’X、AX、BX溶于溶剂中得到钙钛矿前驱体溶液或纳米晶,可通过溶液法制备。或者,将A’X、AX、BX通过蒸镀、气相沉积、磁控溅射、固态反应等非溶液法制备。本发明涉及的激光器件不需要额外设计和加工谐振腔,可大幅度降低制备激光器件的复杂性,提高器件的紧凑性和可集成性。
  • 一种锥状钙钛矿微纳晶激光器及其制备方法-202010133021.6
  • 杨中民;徐涛;虞华康;刘旺旺 - 华南理工大学
  • 2020-02-29 - 2022-03-25 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种锥状钙钛矿微纳晶激光器及其制备方法。该方法是通过溶液法实现的,包括如下步骤:首先配置一定浓度的钙钛矿前驱体溶液,在室温下,将溶液定量滴加到含有该钙钛矿材料晶种的衬底上,置于反溶剂的密闭环境中,一段时间后,待溶剂挥发,即可得到锥状的钙钛矿微纳晶体。本发明所述的制备方法所用器材及设备简单,快速方便,操作简单,成本低,可重复性非常高,形貌好,具有优越的激光行为,较高纯度的微纳晶体提高了半导体激光器的各项性能,降低半导体激光器阈值,提高激光器稳定性,锥状晶体抑制了轴向的谐振,在角向能产生良好的回音壁模式单模激光,具有较高的应用价值。
  • 一种钙钛矿微纳结构及其制备方法和应用-202010578601.6
  • 张青;尚秋宇;李美丽 - 北京大学
  • 2020-06-23 - 2021-10-08 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种钙钛矿微纳结构及其制备方法和应用,所述微纳结构包括发光材料层和导热衬底层,导热衬底层之上为发光材料层;所述发光材料层为3D钙钛矿APbBr3纳米带,其中APbBr3为CH3NH3PbBr3(MAPbBr3)、HC(NH2)2PbBr3(FAPbBr3)和CsPbBr3中的一种。利用本发明结构可有效地转移体系在光泵浦下产生的局域热量,避免了热局域造成的样品损坏,提高了体系的热稳定性,进而获得低阈值受激辐射。本发明提供的微纳结构能够实现78K(110K)下,阈值为2(3.7)kW/cm2的连续激光泵浦下的受激辐射,且体系的制备方法简单。
  • 一种液晶激光显示面板及其构建方法-201910123541.6
  • 赵永生;徐法峰;姚建年 - 中国科学院化学研究所
  • 2019-02-18 - 2021-05-28 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种液晶激光显示面板及其构建方法。该面板包括周期性排布的RGB像素阵列,所述RGB像素阵列包括聚合物微模板和液晶微结构;所述聚合物微模板作为空白像素,所述液晶微结构位于所述聚合物微模板内部;其中,所述液晶微结构包含液晶材料和有机激光染料分子。液晶微激光像素阵列具有周期性排布特点,易于实现混色的激光输出,易于在特定激发方式下实现全色的激光显示。
  • 一种有机半导体激光产生方法及装置-201910611842.3
  • 陶国华;谭云舒 - 北京大学深圳研究生院
  • 2019-07-08 - 2020-12-01 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种有机半导体激光产生方法及装置,所述方法包括:当有机半导体基态电子接收到电信号后,所述有机半导体基态电子激发到激发态;调控声子,通过电子与声子的直接耦合达到电荷传输态;通过电子与声子直接耦合发生单线态裂分,达到亚稳定的多激子中间态,产生粒子数反转;所述有机半导体基态电子不断从多激子中间态跃迁回基态,控制有机半导体层产生激光。本发明将单线态的多激子中间态最终转化为单线态基态,不需要系间窜越,转化效率高,通过对电声子耦合的调节,使激光的性能更加优异,可广泛应用于有机半导体激光器件领域。
  • 利用飞秒激光制备钙钛矿阵列微型谐振腔激光器的方法-202010010738.1
  • 曹强;田晓语;聂阳天;刘胜;林乾乾 - 武汉大学
  • 2020-01-06 - 2020-07-03 - H01S5/36
  • 本发明属于微纳激光器技术领域,具体提供了利用飞秒激光制备钙钛矿阵列微型谐振腔激光器的方法,先将FAI和PbI2两种原材料分别置于有机源和无机源中分别得到FAI源和PbI2源;然后将FAI源和PbI2源的蒸发速率稳定在时,且FAI源温度达到250℃同时腔内气压稳定在9±0.3×10‑4pa,后开始蒸镀;然后在蒸镀的同时,将承载钙钛矿的石英玻璃置于FAI源和PbI2源的上方,以使得FAI和PbI2蒸气在石英玻璃表面沉积得到FAPbI3;然后蒸镀结束后先冷却再退火得到钙钛矿薄膜;最后在蒸镀的钙钛矿薄膜上通过飞秒激光系统加工得到钙钛矿微纳结构。可根据原材料不同制备不同组分的钙钛矿薄膜,可根据蒸发沉积时间不同控制薄膜厚度。且利用激光加工更易于达到大规模高质量制备的要求。
  • 一种基于三线态激子放大器的有机激光薄膜器件及应用-201810653596.3
  • 赖文勇;潘劲强;江翼;林赫;黄维 - 南京邮电大学
  • 2018-06-22 - 2020-05-08 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种基于三线态激子放大器的有机激光薄膜器件及其应用,由衬底和增益介质组成,增益介质沉积在衬底之上,增益介质为三线态‑单线态的主客体掺杂体系,其中包含磷光配合物作为三线态激子放大器和荧光有机化合物作为实现光放大的增益介质。可以通过调节磷光配合物和荧光有机化合物的比例,实现更低阈值的有机激光薄膜器件。同时可将此基于三线态激子放大器的有机激光薄膜器件作为发光层运用于有机电致发光二极管,由于充分利用了三线态激子从而可以大幅提高有机电致发光二极管的光电性能,可以应用于实现电泵浦有机激光器件。本发明的方法成本低廉、制备简单快捷,可以应用于基于柔性基底的有机激光器件。
  • 一种基于高效能量转移的有机激光薄膜器件及其制备方法-201810602041.6
  • 赖文勇;陆婷婷;黄维 - 南京邮电大学
  • 2018-06-12 - 2020-04-21 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种基于高效能量转移的有机激光薄膜器件及其制备方法,属于激光技术领域。本发明通过构建一个单线态‑单线态的主客体增益体系,通过调节主客体聚合物的比例,在保持其自发放大辐射的前提下,形成有效的能量转移,实现更低阈值的有机激光薄膜器件。同时掺杂后的薄膜器件具有光滑的薄膜层。本发明中所使用的方法成本低廉,制备简单快捷,可应用于实现高性能有机激光器件。
  • 一种有机激光薄膜器件及其制备方法-201810602042.0
  • 赖文勇;陆婷婷;黄维 - 南京邮电大学
  • 2018-06-12 - 2018-11-13 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种有机激光薄膜器件及其制备方法,属于激光技术领域。该薄膜器件基于单分散的多臂结构三并茚衍生物或二苯胺端基修饰三并茚衍生物作为增益介质,并通过一定方式沉积在衬底上形成有机激光薄膜器件。在较宽的激发波长范围内,可以实现有效的光放大以及优异的光稳定性和热稳定性。所得到的有机激光薄膜器件,不仅实现了优异的光增益性能,而且可以提高有机电致发光二极管的光电性能。本发明的方法成本低廉、制备简单快捷,可应用于实现高性能有机激光器件。
  • 基于化学合成的胶体量子点的可饱和吸收体器件-201710007831.5
  • 张龙;李京周;董红星 - 中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 2017-01-05 - 2017-06-13 - H01S5/36
  • 一种基于化学合成的胶体量子点的可饱和吸收体器件,该器件包括作为可饱和吸收体的纳米材料和包裹可饱和吸收体的基体,所述的作为可饱和吸收体的纳米材料是化学合成的胶体量子点,所述的包裹可饱和吸收体的基体为水溶液、有机溶液、有机聚合物或无机聚合物。本发明所用的化学合成的胶体量子点合成简单,性能可控,可适用波段宽,同时可有效的解决其他可饱和吸收体的制备过程中面临的制备缺点,降低可饱和吸收体器件制造成本。
  • 一种有机配合物激光器及其制备方法-201410839815.9
  • 陶涛;陈敏东;李俊;邱慧;方昊;赵云霞;张明道 - 南京信息工程大学
  • 2014-12-30 - 2015-03-25 - H01S5/36
  • 本发明公开了一种有机配合物激光器及其制备方法,该有机配合物激光器包括氧化硅微环芯光学微腔,氧化硅微环芯光学微腔表面旋涂有一层4,5-二氮杂芴金属铒配合物薄膜。将4,5-二氮杂芴金属铒配合物配成摩尔浓度为0.9-1.1 mmol/L四氢呋喃溶液,通过旋涂法将有机配合物溶液直接旋涂在已经制备好的氧化硅微环芯光学微腔表面,形成一定厚度的薄膜,制成有机配合物光学微腔。本发明将具有很高品质因子的回音壁模式光学微腔与有机配合物发光材料结合在一起制备光学微腔激光器,具有微型化、芯片集成、阈值低、稳定等优点。
  • 基于有源波导光栅结构的有机半导体激光器的制作方法-201110043450.5
  • 张新平;翟天瑞;王丽 - 北京工业大学
  • 2011-02-23 - 2012-08-29 - H01S5/36
  • 本发明公开了基于有源波导光栅结构的有机半导体激光器的制作方法,属于纳米光电子材料及器件技术领域,包括以下步骤:1)制备荧光发射有机半导体材料的有机溶液;2)将荧光发射有机半导体溶液旋涂在基底上,获得厚度为50-500nm均匀的有机半导体薄膜;3)将记录介质旋涂在步骤2)中所制得的有机半导体薄膜上,获得厚度均匀的记录介质薄膜,薄膜的厚度为50-500nm;4)将激光干涉图案与记录介质薄膜作用,形成高质量的记录介质分布反馈式结构。本发明方法无需使用昂贵的设备,成本低,制备效率高,激光模式良好,阈值低,适合制作电泵浦半导体激光器。
  • 新型有机半导体固态激光器及其制备方法-200810201991.4
  • 魏斌;孙三春;张建华;张志林 - 上海大学
  • 2008-10-30 - 2009-03-18 - H01S5/36
  • 本发明及一种新型有机半导体固态激光器及其制备方法。该激光器是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个分布型布拉格共振器DBR或分布反馈型共振器DFB;该共振器选用LiF、SiO2、SiNx或Al2O3通过真空镀膜或者磁控溅射方法完成,其布拉格波长λBragg的计算公式为:λBragg=neff 2Λ/m,其中neff是有效的折射率常数,m和Λ分别是光栅的衍射级和周期。本发明结合光致发光和电致发光,利用高强度的OLED的EL光,泵浦同一器件上的低ASE阈值有机薄膜,以此避免OLED期间中的有机发光层中对电荷和激子对光的吸收,以及强光产生的激子拆分,实现OLED泵浦型激光。
  • 有机注入式激光器-200580043881.4
  • 斯蒂芬·福里斯特;维诺德·迈诺恩;佐尔坦·佐斯 - 普林斯顿大学理事会
  • 2005-12-12 - 2007-12-12 - H01S5/36
  • 一种单极有机注入式激光器,在该激光器中电受激带内跃迁导致激光产生。有源区(140)包括至少一个有机注入极层(144)和至少一个有机发射极层(142)。在由导带和价带所限定的能隙的相同一侧上,每个有机发射极层具有第一能级和第二能级。当在有源区施加电压时,载流子穿过有机注入极层被注入有机发射极层的第一能级。当载流子由第一能级跃迁到向第二能级时,第一和第二能级之间的能量差引起辐射发射。粒子数反转被保持在第一和第二能级之间,从而引起受激发射和激光的产生。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top