[发明专利]晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010568263.8 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111900163B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;杨涛;高建峰;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶体管及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有形成在其上的源/漏区；栅堆叠结构，位于所述衬底上；金属接触插塞，与所述源/漏区连接；侧墙，位于所述栅堆叠结构与所述金属接触插塞之间；空气隙，位于所述侧墙内。由于空气的介电常数远小于氧化硅，大大减少了栅堆叠结构与金属接触插塞之间的寄生电容，从而提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010568263.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
