[发明专利]一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010567263.6 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111697149A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王红月;魏洋;郭洋阳;李慧鑫;唐博;王洪强 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法，属于半导体材料技术领域。包括以下步骤：将纯硫酸和辛胺分别均匀分散于反溶剂中，配制成浓度为1～32mM的A溶液和浓度为2～64mM的B溶液；将A溶液与B溶液按溶质物质的量比1:1～1.5混合反应，得到硫酸辛胺‑反溶剂溶液；将硫酸辛胺‑反溶剂溶液均匀涂覆于钙钛矿薄膜表面，静置3～60s后，即在钙钛矿薄膜表面获得硫酸盐修饰钙钛矿薄膜。本发明通过在钙钛矿薄膜表面均匀涂覆硫酸辛胺‑反溶剂后，静置反应，可以使硫酸根与铅离子原位反应以有效实现对薄膜表面的缺陷的钝化，硫酸根与铅离子以强化学键作用结合，避免了传统有机小分子配位后易流失的现象，实现了薄膜稳定性及发光性能的同时提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫酸盐 修饰 钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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