专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离激元腔体结构耦合的量子点发光二极管及制备方法-CN202310869734.2在审
  • 王洪强;郭洋阳;王红月 - 西北工业大学
  • 2023-07-17 - 2023-08-25 - H10K50/115
  • 本发明提供一种等离激元腔体结构耦合的量子点发光二极管及制备方法,包括透明导电玻璃、第一空穴传输层、第二空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属电极;第二空穴传输层的制备:S1、将银盐溶液加热至沸腾,加入柠檬酸盐溶液回流反应,制得柠檬酸修饰的银纳米颗粒;S2、将含有氯化钠的乙二醇溶液加热,加入柠檬酸修饰的银纳米颗粒和聚乙烯吡咯烷酮前驱体溶液反应,加入可聚合硅氧烷和光引发剂,得到银纳米溶液;S3、在第一空穴传输层上点涂银纳米溶液,经光聚合后形成银纳米颗粒层,旋涂TFB溶液,经热处理得到第二空穴传输层。通过在半导体器件中引入等离激元腔体结构,抑制俄歇复合过程,提升了器件的外量子效率和亮度。
  • 离激元腔体结构耦合量子发光二极管制备方法
  • [发明专利]一种金纳米棒耦合的量子点发光二极管的制备方法-CN202010566115.2有效
  • 王红月;郭洋阳;魏洋;李慧鑫;张运涵;王洪强 - 西北工业大学
  • 2020-06-19 - 2021-08-31 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种金纳米棒耦合的量子点发光二极管的制备方法,属于半导体器件生产技术领域。包括以下步骤:量子点溶液制备:在惰性气体保护下,利用热注入的方法制备出硒化镉/硫化镉核壳结构的量子点,随后将量子点分散到极性溶剂中,即得量子点溶液;发光二极管的制备:在覆盖第一层空穴传输层的导电衬底上加入金纳米棒水溶液使其覆盖整个空穴传输层表面,旋涂第二层空穴传输层,随后在第二层空穴传输层上旋涂所述量子点溶液并经热处理后形成发光层,然后在所述发光层上旋涂电子传输层,最后在电子传输层上热蒸镀金属电极,即得金纳米棒耦合的量子点发光二极管。本发明提供的制备方法,制备过程简易,周期短且可重复性高。
  • 一种纳米耦合量子发光二极管制备方法
  • [发明专利]一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜、制备方法及其应用-CN202010567263.6在审
  • 王红月;魏洋;郭洋阳;李慧鑫;唐博;王洪强 - 西北工业大学
  • 2020-06-19 - 2020-09-22 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法,属于半导体材料技术领域。包括以下步骤:将纯硫酸和辛胺分别均匀分散于反溶剂中,配制成浓度为1~32mM的A溶液和浓度为2~64mM的B溶液;将A溶液与B溶液按溶质物质的量比1:1~1.5混合反应,得到硫酸辛胺‑反溶剂溶液;将硫酸辛胺‑反溶剂溶液均匀涂覆于钙钛矿薄膜表面,静置3~60s后,即在钙钛矿薄膜表面获得硫酸盐修饰钙钛矿薄膜。本发明通过在钙钛矿薄膜表面均匀涂覆硫酸辛胺‑反溶剂后,静置反应,可以使硫酸根与铅离子原位反应以有效实现对薄膜表面的缺陷的钝化,硫酸根与铅离子以强化学键作用结合,避免了传统有机小分子配位后易流失的现象,实现了薄膜稳定性及发光性能的同时提高。
  • 一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法及其应用

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