[发明专利]半导体器件、电容装置及电容装置的制造方法

摘要

本公开提供一种半导体器件、电容装置及电容装置的制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在一衬底上形成多个呈阵列分布的存储节点接触塞及分隔各存储节点接触塞的绝缘层；在绝缘层背离衬底的一侧形成电极支撑结构，电极支撑结构具有分别露出各存储节点接触塞的多个通孔，通孔包括多个依次对接的孔段，各孔段中靠近衬底一侧的孔段的孔径大于远离衬底一侧的孔段的孔径；在各通孔中形成第一电极层，第一电极层与存储节点接触塞接触连接；在第一电极层和电极支撑结构共同构成的结构的外表面和内表面形成介质层；在介质层的外表面形成第二电极层。本公开的电容装置的制造方法可避免短路，提高电容量。