[发明专利]一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010561201.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111697077B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张金平;陈子珣;涂元元;刘竞秀;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件在沟槽内制作沟槽源结构、P型多晶硅和沟槽栅结构，其中，沟槽源结构可以降低栅漏电容(Cgd)，降低开关损耗，当源介质层选用高K介质材料时，能够有效降低源介质电场强度；P型多晶硅实现HJD在N沟道SiC沟槽栅功率MOSFET中的集成，HJD具有更低的正向导通压降，同时抑制体二极管导通，避免双极退化引起的可靠性问题，集成的HJD没有额外增加芯片面积。集成的SiC HJD是单极型器件，反向恢复特性优于双极型的体二极管，而且由于没有外接二极管引线带来的寄生参数，稳定性更好。此外，该器件制作工艺简单可控，与现有工艺兼容性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 沟槽 功率 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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