[发明专利]一种基于半导体纳米线的片上集成自相关仪有效
申请号: | 202010554682.6 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111678612B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 童利民;李维嘉;郭欣;鲍庆洋;张建彬 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G01J11/00 | 分类号: | G01J11/00;G02F1/377;G02B6/12;G02B6/136 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于半导体纳米线的片上集成自相关仪。基片上布置有光栅、传输波导、Y分支分束器、耦合波导和半导体纳米线;光栅的输出端经传输波导连接到Y分支分束器的集合输入端,Y分支分束器的两个分束输出端分别各自的耦合波导连接到半导体纳米线的两端;信号脉冲光从基片上的光栅耦合进入传输波导,经由Y分支分束器分束后沿两侧的耦合波导同时从半导体纳米线的两端耦合进入半导体纳米线,产生横向二次谐波。本发明通过电子束刻蚀的片上集成波导与半导体纳米线的光学耦合,实现了对片上脉冲宽度的测量,具有高重复性和可靠性,相较于传统的自相关仪,具有小型化、易于集成等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 半导体 纳米 集成 相关 | ||
【主权项】:
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