[发明专利]耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置在审
| 申请号： | 202010548424.7 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113808935A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 段蛟;孙祥;陈星建;杜若昕 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 文言;田宇 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种耐腐蚀涂层形成方法，通过在制备涂层装置中的真空反应腔内设置多个增强源，调控分子流的运动方向，解决了现有技术中衬底侧壁涂层结构疏松，容易脱落的缺陷；进一步地，本发明还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置，通过所述涂层形成方法在反应装置的反应腔内壁表面和等离子刻蚀零部件表面进行耐腐蚀涂层涂覆，得到在不同特征表面都具有结构致密的耐腐蚀涂层涂覆的等离子刻蚀零部件；所述零部件应用在等离子体反应装置中，由于其表面涂层结构致密不易脱落，从而提高了工件服役寿命，提升了刻蚀腔体环境的稳定性，并进一步提高了半导体刻蚀良率。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 涂层 形成 方法 装置 等离子体 零部件 反应 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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