[发明专利]半导体装置、电容器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010546221.4 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN112420925A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈伟庭;蔡宗翰;庄坤苍;王柏仁;陈英豪;黄坚诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及包括底部电极和介电结构的装置。介电结构包括位于底部电极上的第一介电层，并且第一介电层具有第一厚度。该装置还包括位于第一介电层上的阻挡层和位于阻挡层上的第二介电层。第二介电层具有小于第一厚度的第二厚度。该装置还包括位于介电结构上方的顶部电极。本发明的实施例还涉及半导体装置、电容器结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电容器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010546221.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
