[发明专利]超结功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010536040.3 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113808943A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 季明华;刘聪慧;王欢;杨龙康;张汝京 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超结功率器件及其制备方法，可在形成第一导电类型外延层之后通过添加超结掩膜版、形成第二导电类型阱之前或之后通过阱掩膜版，及在形成接触结构之前或之后通过接触掩膜版，即可形成包括元胞区第二导电类型浮岛及终端区第二导电类型浮岛，及终端区第二导电类型柱及终端区第二导电类型柱，无需进行多次外延工艺，且无需进行深沟道刻蚀，制备工艺简单，成本低，成品率及可靠性较高；元胞区第二导电类型浮岛及元胞区第二导电类型柱，可提高功率器件的击穿电压，降低米勒电容和输入电容，降低导通电阻，且终端区第二导电类型浮岛及终端区第二导电类型柱可提高终端耐压结构功效，减小终端所需的面积，以减小高压器件的整体面积。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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