[发明专利]微同轴结构的微延时线芯片的制作方法有效
| 申请号： | 202010519992.4 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111883898B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 董春晖;杨鹏;杨志;钱丽勋;李宏军;马灵;申晓芳;薛源;付兴中;王胜福;李丰;周名齐;周少波;赵立娟;张学凯 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 祁静 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，该方法包括：在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔，第二基片和第三基片制备多个第二通孔；第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽；在第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在槽底制备第四通孔，第三通孔与第四通孔连通，在第三基片的下表面制备焊盘；在第二基片上制备同轴芯体；将第一基片、第二基片以及第三基片依次键合，获得微同轴结构的微延时线芯片，通过将微延时线芯片中的同轴芯体(传输线)进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，可以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴 结构 延时 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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