[发明专利]微同轴结构的微延时线芯片的制作方法

说明书

本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，该方法包括：在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔，第二基片和第三基片制备多个第二通孔；第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽；在第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在槽底制备第四通孔，第三通孔与第四通孔连通，在第三基片的下表面制备焊盘；在第二基片上制备同轴芯体；将第一基片、第二基片以及第三基片依次键合，获得微同轴结构的微延时线芯片，通过将微延时线芯片中的同轴芯体(传输线)进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，可以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。

技术领域

本发明属于射频微波技术领域，尤其涉及一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法。

背景技术

延时线，广泛应用于雷达、通信等技术领域。单片微波集成电路(MonolithicMicrowave Integrated Circuit，MMIC)的延时芯片由于随着延时量的增加，在大延时量时，延时器的插入损耗也随之增加，且温漂也变大，另外现有MMIC的延时芯片尺寸大、功能单一，从而导致该芯片在系统中应用困难，系统和组件指标很难优化。同轴线延时线又存在体积大，无法集成等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，旨在解决现有技术中延时线技术中的损耗大、温漂大、体积大以及无法继承的问题。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，包括：

在第一基片、第二基片和第三基片的第一预设位置分别制备位置对应的多个第一通孔，并在所述第二基片和所述第三基片的第二预设位置分别制备位置对应的多个二通孔，所述第一预设位置与所述第二预设位置不同；

在所述第一基片和所述第三基片上分别制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽，所述多个第一通孔设置在对应的所述第一凹槽或者所述第二凹槽的周围；

在所述第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在所述第二凹槽内的所述第三通孔对应位置制备第四通孔，在所述第三基片的下表面所述转接支撑结构对应区域制备焊盘，所述第三基片的下表面为所述第二凹槽对应的一面；

在第二基片上制备同轴芯体；

将所述第一基片、所述第二基片以及所述第三基片依次键合，并使各个基片上的第一通孔位置对应，所述第一凹槽与所述第二凹槽的位置和槽口分别对应，所述同轴芯体位于所述第一凹槽与所述第二凹槽构成的空腔内。

作为本申请另一实施例，所述在第二基片上制备同轴芯体，包括：

采用DRIE或湿法腐蚀的方法在所述第二基片上刻蚀多个第五通孔，使所述第二基片形成包括内空的第一硅片、多个硅梁和同轴芯体的结构，其中，所述同轴芯体位于所述第一硅片内，且所述同轴芯体的两端分别与所述第一硅片的O弯处连接，间隔排列的所述多个硅梁分别位于所述同轴芯体的两侧，作为所述同轴芯体的支撑梁。

作为本申请另一实施例，在所述在第二基片上制备同轴芯体结构之后，还包括：

在所述第一硅片的上下表面、所述第一硅片的内侧、除距离所述同轴芯体两端连接处预设长度之外的部分的外表面、所述多个第五通孔内部、所述第二基片上的多个第一通孔内部和多个第二通孔内部电镀第一金属层。

作为本申请另一实施例，所述多个第一通孔、所述多个第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔以及所述多个第五通孔的形状为圆形、长方形或者正方形，孔壁垂直于地平面或者孔壁与地平面之间存在倾角。

作为本申请另一实施例，所述第一凹槽与所述第二凹槽的宽度和深度根据所述同轴芯体的传输信号的频率确定；