[发明专利]微同轴结构的微延时线芯片的制作方法

权利要求书

1.一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在第一基片、第二基片和第三基片的第一预设位置分别制备位置对应的多个第一通孔，并在所述第二基片和所述第三基片的第二预设位置分别制备位置对应的多个第二通孔，所述第一预设位置与所述第二预设位置不同；

在所述第一基片和所述第三基片上分别制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽，所述多个第一通孔设置在对应的所述第一凹槽或者所述第二凹槽的周围；

在所述第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在所述第二凹槽内的所述第三通孔对应位置制备第四通孔，在所述第三基片的下表面所述转接支撑结构对应区域制备焊盘，所述第三基片的下表面为所述第二凹槽对应的一面；

在第二基片上制备同轴芯体；

将所述第一基片、所述第二基片以及所述第三基片依次键合，并使各个基片上的第一通孔位置对应，所述第一凹槽与所述第二凹槽的位置和槽口分别对应，所述同轴芯体位于所述第一凹槽与所述第二凹槽构成的空腔内。

2.如权利要求1所述的微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，其特征在于，所述在第二基片上制备同轴芯体，包括：

采用DRIE或湿法腐蚀的方法在所述第二基片上刻蚀多个第五通孔，使所述第二基片形成包括内空的第一硅片、多个硅梁和同轴芯体的结构，其中，所述第一硅片为O型硅片，所述同轴芯体位于所述第一硅片内，且所述同轴芯体的两端分别与所述第一硅片的O弯处连接，间隔排列的所述多个硅梁分别位于所述同轴芯体的两侧，作为所述同轴芯体的支撑梁。

3.如权利要求2所述的微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，其特征在于，在所述在第二基片上制备同轴芯体结构之后，还包括：

在所述第一硅片的上下表面、所述第一硅片的内侧、除距离所述同轴芯体两端连接处预设长度之外的部分的外表面、所述多个第五通孔内部、所述第二基片上的多个第一通孔内部和多个第二通孔内部电镀第一金属层。

4.如权利要求2所述的微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，其特征在于，所述多个第一通孔、所述多个第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔以及所述多个第五通孔的形状为圆形、长方形或者正方形，孔壁垂直于地平面或者孔壁与地平面之间存在倾角。

5.如权利要求1所述的微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽的宽度和深度根据所述同轴芯体的传输信号的频率确定；

所述第一凹槽与所述第二凹槽的刻蚀深度根据刻蚀工艺时间调整，槽壁垂直于地平面或者槽壁与地平面之间存在夹角。

6.如权利要求1或5所述的微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽包括设置所述转接支撑结构的转接凹槽和除所述转接支撑结构对应凹槽之外的第三凹槽；所述转接凹槽在垂直信号传输方向的边长大于所述第三凹槽的在垂直信号传输方向的边长。

7.如权利要求3所述的微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一基片的下表面、所述第一凹槽的槽壁上以及所述第一基片上的多个第一通孔内部电镀第二金属层，所述第一基片的下表面为所述第一凹槽所在的一面；

以及在所述第三基片的上表面、所述第三基片下表面的预设位置、所述转接支撑结构的上表面的预设位置、所述第三基片上的多个第一通孔内部、多个第二通孔内部、所述第三通孔内部以及所述第四通孔内部电镀第三金属层，所述第三基片下表面的预设位置为除转接支撑结构对应区域之外的区域，所述转接支撑结构的上表面的预设位置为所述第三通孔周围的位置，所述第三基片的上表面为所述第二凹槽所在的一面。