[发明专利]半导体器件及半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010500765.7 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113764532A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 袁昊;肖莉;王梁永;宋庆文;唐光明;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄广龙 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件及半导体器件的制备方法。本申请实施例包括：采用图形化工艺和离子注入工艺分别形成第一浮动区和第二浮动区；第二浮动区至少包括两个不同掺杂浓度的子区域。能够有效地降低第二浮动区为连续型结构时，第二浮动区的掺杂剂量对半导体器件的反向耐压特性的影响，避免由于第二浮动区的掺杂剂量出现偏差，导致半导体器件被过早击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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