[发明专利]半导体存储器装置和控制半导体存储器装置的修复的方法在审
申请号: | 202010498614.2 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN112447253A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 殷亨来;金东;朴仁勳 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 史泉;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种半导体存储器装置和控制半导体存储器装置的修复的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎、连接在存储器单元阵列与ECC引擎之间的输入/输出(I/O)门控电路、错误信息寄存器和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行。控制逻辑电路基于命令和地址来控制ECC引擎、I/O门控电路和错误信息寄存器。I/O门控电路向ECC引擎提供通过对多个存储器单元行的刷新操作而从存储器单元阵列读取的码字。ECC引擎基于码字的奇偶校验位对码字的主数据执行ECC解码,并且响应于由于执行ECC解码而针对对应的地址检测到可纠正错误,向控制逻辑电路提供错误产生信号。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 控制 修复 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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