[发明专利]衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法在审
| 申请号： | 202010487579.4 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111607825A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘良宏;许彬;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 朱小杰 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种衬底，包括基底，所述基底上表面具有一个分布均匀且方向与厚度均保持一致的纳米柱层，所述纳米柱层高度为0.2～5um；任意两纳米柱之前间隔相等，所述间隔为0.2～5um；所述纳米柱层任一纳米柱的端面均为圆形端面或者正六边形端面，其直径或对角线长度为50～1000nm。本发明具有以下优点：(1)生长在纳米柱上的氮化镓材料同样具有纳米结构特性，位错很低；(2)在纳米柱层二维侧向生长GaN层过程中进一步降低位错；(3)纳米柱之间存在的均匀空隙，可以有效吸收HVPE异质外延产生的应力；(4)在降温时由于热胀冷缩不同的应力可以使氮化镓和衬底在纳米柱交界处更容易地剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 基于 支撑 gan 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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