[发明专利]具有低活化能配体或高显影剂溶解性配体的EUV光致抗蚀剂在审
| 申请号： | 202010476943.7 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112445070A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;刘朕与;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/027 | 分类号： | G03F7/027;G03F7/004;G03F7/20;C07F1/10;C07F3/00;C07F5/00;C07F7/22;C07F9/90 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本公开涉及具有低活化能配体或高显影剂溶解性配体的EUV光致抗蚀剂。一种光致抗蚀剂，包括含有金属的核心基团，以及附着至该核心基团的一个或多个第一配体或一个或多个第二配体。第一配体各自具有以下结构： |
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| 搜索关键词： | 具有 活化能 显影剂 溶解性 euv 光致抗蚀剂 | ||
【主权项】：
暂无信息
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