[发明专利]具有低活化能配体或高显影剂溶解性配体的EUV光致抗蚀剂

说明书

本公开涉及具有低活化能配体或高显影剂溶解性配体的EUV光致抗蚀剂。一种光致抗蚀剂，包括含有金属的核心基团，以及附着至该核心基团的一个或多个第一配体或一个或多个第二配体。第一配体各自具有以下结构：第二配体各自具有以下结构：表示核心基团。L’表示包括被氢(H)或氟(F)饱和的0～2个碳原子的化学物质。L表示包括被H或F饱和的1～6个碳原子的化学物质。L”表示包括被H饱和的1～6个碳原子的化学物质。L”’表示包括被H或F饱和的1～6个碳原子的化学物质。链接基表示将L”和L”’链接在一起的化学物质。

技术领域

本公开一般地涉及具有低活化能配体或高显影剂溶解性配体的EUV光致抗蚀剂。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数目)通常增加，而几何尺寸(例如，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小还增加了IC处理和制造的复杂性。

为了实现这些进步，需要IC处理和制造的类似发展。例如，对执行更高分辨率光刻工艺的需求在增长。一种光刻技术是极紫外(EUV)光刻。EUV光刻使用扫描仪，该扫描仪使用波长约为1-100纳米(nm)的极紫外区域中的光。与某些光学扫描仪类似，一些EUV扫描仪提供4倍减缩投影打印，不同之处在于EUV扫描仪使用反射光学器件而非折射光学器件，即使用反射镜(mirror)而不是透镜(lenses)。EUV扫描仪在形成在反射掩模上的吸收层(“EUV”掩模吸收剂)上提供所需的图案。

然而，尽管传统EUV光刻通常已足以满足其预期目的，但不能在每个方面都完全令人满意。例如，传统EUV光致抗蚀剂材料尚未针对光子吸收和线宽粗糙度(LWR)进行优化。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种光致抗蚀剂，包括；核心基团，所述核心基团含有金属；以及一个或多个第一配体或一个或多个第二配体，所述一个或多个第一配体或一个或多个第二配体附着至所述核心基团；其中：所述第一配体各自具有以下结构：

所述第二配体各自具有以下结构：

表示所述核心基团；L’表示包括被氢(H)或氟(F)饱和的0～2个碳原子的化学物质；L表示包括被H或F饱和的1～6个碳原子的化学物质；L”表示包括被H饱和的1～6个碳原子的化学物质；L”’表示包括被H或F饱和的1～6个碳原子的化学物质；以及链接基表示将L”和L”’链接在一起的化学物质。

根据本公开的另一实施例，提供了一种光致抗蚀剂，包括：核心基团，所述核心基团含有金属；以及第一配体或第二配体，所述第一配体或第二配体附着至所述核心基团；其中：所述第一配体具有以下化学式之一：

所述第二配体具有以下化学式之一：

其中，所述光致抗蚀剂是极紫外(EUV)光致抗蚀剂。

根据本公开的又一实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方涂覆光致抗蚀剂材料，所述光致抗蚀剂包括核心基团以及附着至所述核心基团的一个或多个第一配体或一个或多个第二配体；以及使用所述光致抗蚀剂材料来执行极紫外(EUV)光刻工艺；其中：所述核心基团包括金属；所述第一配体的化学结构包括：

所述第二配体的化学结构包括：