[发明专利]一种大晶畴尺寸WS2

摘要

本发明公开了一种大晶畴尺寸WS2单晶的生长方法。该方法采用半封闭方式步骤是：将WO3粉末置于石英舟中，将衬底放在石英舟顶部，将石英舟放入半封闭石英管中；将石英管放入系统中进行抽真空，当压力为0mbar时，通入Ar气，压力保持在10‑20mbar；对系统进行升温，将温度升至900‑1000℃，达到设定温度后对硫粉进行加热，温度为190‑250℃；达到设定温度后通入硫蒸汽进行WS2单晶的生长，生长时间为20‑50min。采用半封闭方式提高成核以及生长过程中钨源的过饱和度，使得成核生长过程中衬底表面钨源供应充足，保证生长的顺利进行，能够显著增大WS2单晶的晶畴尺寸，利于大晶畴尺寸WS2单晶的生长。