[发明专利]一种大晶畴尺寸WS2 在审
| 申请号： | 202010475686.5 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111501097A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 兰飞飞;王再恩;董增印;张嵩;王健;张胜男;李轶男;霍晓青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大晶畴 尺寸 ws base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种大晶畴尺寸WS2单晶的生长方法，其特征在于，在WS2单晶生长过程中采用半封闭方式提高W源过饱和度，进而实现WS2晶畴尺寸的扩大，其晶体生长过程按照以下步骤完成：
第一步、使用电子天平将一定量的硫粉置于料瓶中；
第二步、使用电子天平将一定量的WO3粉末置于石英舟中，将衬底生长面向下放置在石英舟表面；
第三步、将装有衬底与WO3粉末的石英舟置于一端开口的半封闭石英管中；
第四步、将半封闭石英管放入CVD生长系统中；对CVD生长系统进行抽真空处理，当系统内压力为0mbar时，通入Ar气进行吹扫，Ar气流量为500sccm；
第五步、将Ar气流量降至100sccm-150sccm，系统内压力保持在10-20mbar；
第六步、对系统进行升温，将系统温度升至900℃-1000℃，达到生长温度后开始对硫粉进行加热，加热温度控制在190℃-250℃；
第七步，硫粉温度达到设定温度后，向系统内通入硫蒸汽，开始进行WS2单晶的生长，生长时间为20min-50min；
第八步，生长结束，降温，取样。
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