[发明专利]一种垂直近紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010475530.7 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111668355A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 尉尊康;崔志勇;郭凯;薛建凯 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张永辉 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种垂直发光二极管，包括：金属衬底，所述金属衬底设置在底部；发光层，设置在金属衬底上方，所述发光层包括自下而上设置的P型半导体材料层、量子阱层、N型半导体材料层；ITO层，设置在N型半导体材料层上表面，所述所述ITO层上均匀设置有具有固定间隔周期的贯穿孔，所述ITO层以及所述贯穿孔的高度均为所述发光二极管发光波长的四分之一；在所述贯穿孔中固定设置第一金属材料电极；在所述ITO层的上表面设置有与所述ITO层以及所述第一金属材料电极接触的第二金属材料电极。通过上述方案提高了发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 紫外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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