[发明专利]一种薄膜沉积装置在审
申请号: | 202010468625.6 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111593331A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 马红霞 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李路遥;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种薄膜沉积装置,包括:反应室,所述反应室中设置有用于沿第一方向堆叠容纳多个晶片的装载部件;所述反应室沿所述第一方向包括底层区域、中层区域和高层区域;第一气体供应部,设置在所述底层区域,用于沿所述第一方向将第一反应气体供应至所述反应室的中层区域和高层区域;第二气体供应部,设置在所述底层区域且所述第二气体供应部的顶端高度不高于所述第一气体供应部的顶端高度,用于沿垂直于所述第一方向的第二方向将第一反应气体供应至所述反应室的底层区域;第三气体供应部,用于将第二反应气体供应至所述反应室内。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 沉积 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的