[发明专利]一种薄膜沉积装置

权利要求书

1.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：

反应室，所述反应室中设置有用于沿第一方向堆叠容纳多个晶片的装载部件；所述反应室沿所述第一方向包括底层区域、中层区域和高层区域；

第一气体供应部，设置在所述底层区域，用于沿所述第一方向将第一反应气体供应至所述反应室的中层区域和高层区域；

第二气体供应部，设置在所述底层区域且所述第二气体供应部的顶端高度不高于所述第一气体供应部的顶端高度，用于沿垂直于所述第一方向的第二方向将第一反应气体供应至所述反应室的底层区域；

第三气体供应部，用于将第二反应气体供应至所述反应室内。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第一气体供应部具体用于将惰性气体和所述第一反应气体一起供应至所述反应室的中层区域和高层区域；

其中，所述惰性气体的流量大于所述第一反应气体的流量。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第一气体供应部，用于以第一流量将惰性气体和第一反应气体一起供应至所述反应室的高层区域；还用于以第二流量将第一反应气体供应至所述反应室的中层区域；

其中，所述第一流量大于所述第二流量。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第一气体供应部用于供应的气体的流量大于所述第二气体供应部用于供应的气体的流量。

5.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第一气体供应部由所述反应室的底部沿所述第一方向延伸设置。

6.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第二气体供应部在所述反应室的底部沿所述第二方向延伸设置。

7.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第三气体供应部沿所述第一方向由所述反应室的底层区域延伸至所述高层区域。

8.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第一气体供应部包括设置于所述第一气体供应部顶端的第一喷孔，所述第一喷孔朝向所述高层区域设置。

9.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第二气体供应部包括设置于所述第二气体供应部顶端的第二喷孔，所述第二喷孔朝向所述装载部件设置。

10.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第三气体供应部包括沿所述第一方向分立设置的多个第三喷孔，所述多个第三喷孔朝向所述装载部件设置。

11.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述第一反应气体包括三甲基铝，所述第二反应气体包括臭氧。

12.根据权利要求2所述的薄膜沉积装置，其特征在于，

所述惰性气体包括氮气。