[发明专利]一种集成有温度传感器的IGBT芯片在审

专利信息
申请号: 202010465356.8 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111816652A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 黄伯宁;杨文韬;王军鹤 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/739
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种集成有温度传感器的IGBT芯片,涉及功率器件技术领域,能够提高IGBT芯片的温度监测的准确性。该集成有温度传感器的IGBT芯片包括元胞区、发射极焊点、栅极焊点、栅极叉指结构、温度传感模块和导电屏蔽结构;发射极焊点与多个IGBT元胞的发射极电连接;栅极叉指结构连接于栅极焊点与多个IGBT元胞的栅极之间;温度传感模块包括温度传感器、阳极焊点、阴极焊点和金属引线,温度传感器和至少部分金属引线位于栅极叉指结构的内部并与栅极叉指结构绝缘;导电屏蔽结构至少设置于金属引线的位于栅极叉指结构内的部分与栅极叉指结构之间,并与发射极焊点电连接。本申请提供的集成有温度传感器的IGBT芯片用于电动汽车或者电梯。
搜索关键词: 一种 集成 温度传感器 igbt 芯片
【主权项】:
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