[发明专利]一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构及制作方法在审
| 申请号： | 202010460602.0 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111769087A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 马盛林;练婷婷;王玮;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L23/46 | 分类号： | H01L23/46;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本发明在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。另外，本发明还提出了实现上述结构的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 gan 器件 散热 集成 一体化 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010460602.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
