[发明专利]一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 202010446626.0 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN111640829A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 董金矿;汪玉;黄文宾;周宏敏;李政鸿;林兓兓;张家豪 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明属于半导体领域,尤其涉及一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法,其中复合电子阻挡层位于有源层和P型半导体层之间,为AlxInyGa1‑x‑yN层和石墨烯层周期性交替层叠形成。本发明可以促进空穴横向扩展,改善电子溢流,提升亮度。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 复合 电子 阻挡 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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