[发明专利]复合型功率元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010437385.3 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN113707654A 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 徐信佑;王振煌;洪世杰 申请(专利权)人: 全宇昕科技股份有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L21/8249
代理公司: 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人: 张羽;武玉琴
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种复合型功率元件及其制造方法,功率元件包含基材结构、绝缘层、介电层、金氧半场效晶体管、及齐纳二极管。金氧半场效晶体管形成于基材结构的晶体管形成区域中。齐纳二极管形成于基材结构的电路元件形成区域中、且包含形成于绝缘层上且被介电层覆盖的齐纳二极管掺杂结构。稽纳二极管掺杂结构包含彼此相接的P型掺杂区及N型掺杂区。齐纳二极管另包含齐纳二极管金属结构,其形成于介电层上、且部分地贯穿介电层,以电性连接齐纳二极管掺杂结构的P型掺杂区及N型掺杂区。齐纳二极管经配置在复合型功率元件通电时接受逆向偏压。借此,复合型功率元件的制程复杂度能被简化,并且终端产品的体积也能被减少。
搜索关键词: 复合型 功率 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
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