[发明专利]一种全钝化接触异质结电池及制造方法

摘要

本发明属太阳能电池制造领域，涉及一种全钝化接触异质结电池，包括衬底；设置在衬底的上表面的第一氧化硅层；设置在衬底的下表面上的第二氧化硅层；设置在第一氧化硅层上表面上的n型钝化接触层；设置在第二氧化硅层下表面上的p型钝化接触层；设置在钝化接触层外表面的透明导电层；设置在透明导电层背离衬底方向的外表面上的电极。本发明还公开了这种电池的其制备方法，通过全钝化接触结构替代本征和掺杂非晶硅结构形成的传统异质结太阳电池结构以及现有技术的高/低功函数材料。该结构可耐受300~800℃的高温工艺作用，增加了电池的金属材料的可选择种类，后道组件焊接和印刷无需改成低温工艺，提高了电池的开路电压，提高生产良率，降低生产成本。