[发明专利]一种用于低应力全介质光学薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010422923.1 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111500985B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 郭春;孔明东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于低应力全介质光学薄膜的制备方法，属于真空镀膜技术领域，主要针对全介质光学薄膜中限制薄膜机械特性进而影响光学系统的光束传输和成像质量的关键因素——应力，采用高能辅助沉积技术，通过优化光学薄膜制备工艺参数，实现总应力小于2MPa的全介质光学薄膜制备。相对于传统的镀膜前光学元件镀膜面预加工、镀膜后光学元件背面拉面形，或者高温退火后处理等技术，本发明操作流程简单、执行成本低，适用于各种材质、尺寸和形状的光学元件低应力全介质光学薄膜制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 应力 介质 光学薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010422923.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
