[发明专利]一种钙钛矿与晶硅的三结叠层太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202010408823.3 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN113745366A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/18;H01L27/30 |
代理公司: | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人: | 杨文华 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种钙钛矿与晶硅的三结叠层太阳能电池,包括背接触钙钛矿子电池、背接触式晶硅子电池以及位于中间的复合层,背接触钙钛矿子电池包括指叉式背接触钙钛矿太阳能电池或空间网状背接触太阳能电池,背接触式晶硅子电池包括指叉式背接触电池IBC、点接触式背接触电池PCC、背面指叉式单次沉积背接触电池RISE中的任意一种,背接触钙钛矿子电池的电极均埋在钙钛矿吸光材料之下,背接触式晶硅子电池是指其发射区电极和基区电极均位于电池背面的硅太阳能电池。本发明还公开该三结叠层太阳能电池的制备方法。本发明能更有效提取不同波长光的能量,结构紧凑简单,能有效减少寄生吸收,且不受电流匹配的限制,可以发挥两个子电池的最佳效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 三结叠层 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的