[发明专利]一种晶体硅太阳电池用氧化硅-掺杂多晶硅复合薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010396037.6 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111564525B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪 | 申请（专利权）人： | 江西昌大高新能源材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 许莹莹 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市南昌高新技术*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳电池用氧化硅‑掺杂多晶硅复合薄膜的制备方法，步骤如下：(1)将需要镀膜的硅片放入热丝CVD装备中，抽真空预热后在硅片表面氧化生成一层氧化硅，并进行热处理改性；(2)热丝CVD法在氧化硅膜表面沉积一层重掺杂非晶硅或微晶硅薄膜；(3)将镀膜完成的硅片进行热处理，完成除氢、高温激活掺杂原子；第一步中的抽真空预热、氧化硅膜层制备及热处理、第二步中的非晶硅或微晶硅膜制备三个工序在不同的腔体中完成，在不破真空情况下实现硅片在不同腔体之间的传递。本发明可获得性能良好的、厚度精确可控的氧化硅薄膜；在不破真空情况下继续沉积重掺杂非晶硅或微晶硅薄膜，可避免暴露大气对两层薄膜间界面的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 氧化 掺杂 多晶 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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