[发明专利]发光装置的制备方法及发光装置在审
申请号: | 202010380395.8 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN111524913A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 安徽省徽腾智能交通科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368 |
代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人: | 陈文龙 |
地址: | 234000 安徽省宿*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 公开了一种发光装置的制备方法及发光装置,制备方法中,加热第二绝缘膜到预定温度后,在其上溅射形成非晶体氧化物半导体膜,在第一导电层、非晶体氧化物半导体膜和第二导电层上溅射形成氧化镓膜,掩模蚀刻氧化镓膜使得在位于非晶体氧化物半导体膜正上方的第二预定区域形成第三绝缘膜,经由第四绝缘膜、源极及漏极对非晶体氧化物半导体膜引入第二掺杂剂形成小于非晶体氧化物半导体膜平均电阻的第一电阻区域,第一电极层上经由感光树脂形成位于第一侧的第一绝缘隔离层和相对于第一侧的第二侧的第二绝缘隔离层,第一倾斜曲面和第二倾斜曲面相向布置,自第一倾斜曲面沿着第一电极层延伸于第二绝缘隔离层的表面上形成电致发光层。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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