[发明专利]一种有机半导体材料的阵列制备方法在审
| 申请号： | 202010375402.5 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113620236A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吴朋桦;屈芙蓉;孙冰朔;夏洋;李楠;赵丽莉;冷兴龙;李磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/04;H01L51/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机半导体材料的阵列制备方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱的表面进行化学修饰，使所述硅柱的表面达到超疏水状态；在真空条件下对有机半导体材料进行热蒸发，使所述有机半导体材料的有机分子在处于超疏水状态的所述硅柱顶部表面结晶，在所述硅柱顶部表面形成预设厚度的有机半导体材料样品；将所述硅片的形成所述有机半导体材料样品转移到所述基底上，在所述基底上获得具有所述预设阵列形式的有机半导体材料阵列。一方面，由于采用热蒸镀的方法，因此，特别适用于难以液相微纳加工的有机半导体材料；另一方面，采用超疏水处理的硅柱表面结晶并平行转移的方式，保证阵列的微纳加工质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 半导体材料 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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