[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010363181.X | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113594365A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 胡连峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成电容介质层、以及位于电容介质层上的第二电极层，电容介质层包括由下而上依次堆叠的底部高k介质层、防漏电介质层和顶部高k介质层，底部高k介质层和顶部高k介质层具有预设总沉积厚度，底部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例大于顶部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例。本发明调整底部高k介质层和顶部高k介质层各自占预设总沉积厚度的比例，使得底部高k介质层和顶部高k介质层的有效厚度均较小，从而改善底部高k介质层和顶部高k介质层的结晶问题，进而提高电容结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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