[发明专利]一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法在审
| 申请号： | 202010361862.2 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111380830A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李阳 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/3563 | 分类号： | G01N21/3563;G01N21/95;G01N23/207;G01N1/32;G01N1/44 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，所述方法包括：将单片晶圆分为四等份；获取第一份晶圆样品沿直径方向的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷及其分布区域；对第三份晶圆样品进行第一热处理，确定晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷及其分布区域；对第四份晶圆样品进行第二热处理，确定晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域、自间隙硅团簇区域。根据本发明实施例的检测方法，可高效快速地检测出晶圆中可能存在的所有缺陷类型及分布区域，在确保检测准确性的前提下，极大节省了检测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶晶圆 缺陷 类型 分布 区域 检测 方法 | ||
【主权项】：
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