[发明专利]一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法

权利要求书

1.一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，其特征在于，包括：

将单片晶圆分为至少四等份，得到至少四份晶圆样品；

获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；

对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品上的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定所述晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷以及所述空位型缺陷和/或所述间隙型缺陷的分布区域；

对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域；

对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域，包括：

获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第一间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第一差值；

根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域，包括：

获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第二间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第二差值；

根据所述第二差值以及第二热处理后的第四份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域以及自间隙硅团簇区域。

4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值包括：

采用傅里叶红外光谱仪沿所述第一份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；

所述获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值包括：

采用傅里叶红外光谱仪沿所述第三份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值；

所述获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值包括：

采用傅里叶红外光谱仪沿所述第四份晶圆样品的直径方向进行扫描，获取第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值。

5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第二份晶圆样品进行刻蚀处理包括：

采用赛科刻蚀剂对所述第二份晶圆样品进行刻蚀，刻蚀时间为5～20分钟。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理包括：

将所述第三份晶圆样品在1000℃～1200℃的温度条件下处理1～3个小时。

7.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域之前，还包括：

利用X射线扫描经第一热处理后的第三份晶圆样品的表面，获取第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图。