[发明专利]一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法

说明书

本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，所述方法包括：将单片晶圆分为四等份；获取第一份晶圆样品沿直径方向的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷及其分布区域；对第三份晶圆样品进行第一热处理，确定晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷及其分布区域；对第四份晶圆样品进行第二热处理，确定晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域、自间隙硅团簇区域。根据本发明实施例的检测方法，可高效快速地检测出晶圆中可能存在的所有缺陷类型及分布区域，在确保检测准确性的前提下，极大节省了检测成本。

技术领域

本发明涉及晶圆缺陷检测技术领域，具体涉及一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法。

背景技术

目前，对晶体缺陷的种类与分布的检测评价对于开发高质量的无缺陷的单晶硅锭有着非常重要的指导意义，具体是通过在规定的晶体生长条件下生长的单晶晶圆，之后对上述生长的单晶晶圆加工处理，通过晶体缺陷的评价技术方法来评价晶圆中所含的晶体缺陷，然后将上述晶体缺陷的评价结果反馈给上述规定的生长条件，以便控制和避免产品的不良。

目前的晶体评价技术包括很多种技术，这些评价技术对检测某种特定缺陷非常有效，但这些方法只能检测出硅片当中是否存在某类特定缺陷，但却不能够检测出硅片当中可能存在的所有缺陷，同时，这些检测技术都是对硅片有损害的，属于有损检测，也就是说目前的技术中还不能满足采用少量的晶圆来检测其所包含的缺陷种类与分布。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，以解决现有技术中无法采用少量的晶圆即可准确检测出晶圆可能存在的所有缺陷种类与分布。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种单晶晶圆缺陷类型及分布区域的检测方法，包括：

将单片晶圆分为至少四等份，得到至少四份晶圆样品；

获取第一份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的初始间隙氧浓度值；

对第二份晶圆样品进行刻蚀处理，根据刻蚀处理后的第二份晶圆样品上的腐蚀坑的形貌以及分布区域，确定所述晶圆是否存在空位型缺陷和/或间隙型缺陷以及所述空位型缺陷和/或所述间隙型缺陷的分布区域；

对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域；

对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第二热处理后的第四份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域。

可选的，所述对第三份晶圆样品进行第一热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域，包括：

获取第一热处理后的第三份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第一间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第一差值；

根据所述第一差值以及第一热处理后的第三份晶圆样品表面的形貌图，确定所述晶圆是否存在氧化诱生层错缺陷以及所述氧化诱生层错缺陷的分布区域。

可选的，所述对第四份晶圆样品进行第二热处理，根据所述初始间隙氧浓度和经第一热处理后的第三份晶圆样品，确定所述晶圆的氧析出促进区域、氧析出抑制区域和/或自间隙硅团簇区域，包括：

获取第二热处理后的第四份晶圆样品沿直径方向上的多个测试位点的第二间隙氧浓度值，计算得到每一所述测试位点的第二间隙氧浓度值与所述初始间隙氧浓度值的第二差值；