[发明专利]原子层沉积设备及3D存储器件

摘要

公开了一种原子层沉积设备及3D存储器件，原子层沉积设备包括：进气管路，用于接收至少两种反应气体以及惰性气体；反应腔室，与所述进气管路连接；基座，位于所述反应腔室内，用于承载硅片以及对所述硅片进行加热；排气通道，与所述反应腔室连接，其中，所述原子层沉积设备还包括可调节控制板，位于所述反应腔室内，用于阻挡所述反应气体到达硅片表面。本申请的原子层沉积设备，通过可调节控制板控制参与硅片表面反应的反应气体，使得粘附膜可以分层生长，得到晶向一致、晶界表面积减少的粘附膜，提高了粘附膜的阻挡能力。