[发明专利]一种外围电路、三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供一种外围电路、三维存储器及其制备方法。所述外围电路包括衬底、多个半导体器件和连接结构，多个所述半导体器件形成于所述衬底的第一表面，每一所述半导体器件的四周围设有隔离结构，以实现相邻所述半导体器件之间的隔离以实现相邻所述半导体器件之间的隔离，连接结构包括第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构设于所述半导体器件背向所述衬底的一侧并与所述半导体器件的阱区连接，所述第二连接结构贯穿所述衬底和所述半导体器件的阱区，一端与所述第一连接结构连接，另一端露出所述衬底背向所述第一表面的第二表面。本申请的外围电路解决了现有技术中的新增线层导致的外围电路布线复杂，影响其与存储堆叠层的键合的问题。