[发明专利]N沟道SiC IGBT器件的制作方法有效
| 申请号： | 202010328453.2 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111508837B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 冯旺;田晓丽;杨雨;白云;陆江;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 张通 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书提供一种N沟道SiC IGBT器件的制作方法，包括：形成重掺杂的N型SiC衬底；在SiC衬底的C面生成P型重掺杂SiC集电层，在SiC衬底的Si面生成N型轻掺杂的SiC漂移层；在SiC漂移层的Si面制作MOS结构。本说明书提供的制作方法无需形成衬底、N型缓冲层、N型漂移层、N型重掺杂缓冲层和P型重掺杂集电层层叠结构，再研磨掉衬底和N型缓冲层的结构，因此可以减小研磨量，并减小研磨可能造成应力而使得器件层结构损坏的问题。实际应用中，即使本说明书提供的方法在研磨重掺杂N型SiC衬底使得层结构因为应力损坏，但是此时层结构也仅有重掺杂N型SiC衬底和P型重掺杂SiC集电层，相应的成本损失也较小。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 sic igbt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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